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TiNSネイルの価格ランキング

2008年08月22日 12:34現在
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◆tinバリアについて
  • Cu/Ti/TiN/Ti積層構造を有する 高信頼性Cuダマシン配線より－ 沖電気研究開発2000年１０月第１８４号Vol.６７No.３.65を,Cu,TiNバリア間に密着層として挿入することを.検討した。Cu,TiNバリア間へTi層を挿入し,配線抵抗および.EM耐性 （続き）
  • １より－ 上下NbN電極とTiNバリアの作製は全て反応性高周波スパッタリングによって行なわれた。この素子の特長は、NbNとほとんど同じ格子定数を有するTiNをバリアに採用したことにある。その結果として、電極とバリアの界面を （続き）
  • 液体ヘリウムを必要としないジョセフソン電圧標準素子の開発より－ (300nm)、TiNバリア(30-50nm)および上部NbN膜(300nm)から成る。これらの窒化物膜は全て専用の.真空装置内において反応性スパッタリングによって.作製される。NbNは15Kを越える臨界温度(T.c)を有する超伝導 （続き）
  • H11年度成果報告会 成果概要:98Y29-021より－ まず、含有カーボン率10wt%以下の銅スピンコート液を作製する基本プロセスを確立し、この液を使用して、予め溝が形成されTiNバリア材で被覆された基板上に銅配線の形成を試みた。この結果、銅含有量40wt%、カーボン含有率 （続き）
  • 学生の受賞より－ TiNバリア層上へのCuおよびPdの置換析出挙動とその熱力学的考察.八木俊介、邑瀬邦明、平藤哲司、粟倉泰弘.ページトップへ.Homeへ戻る.designedbyKeikoMatsumoto;updatedonAugust31,2007 （続き）
  • VLSI MULTILEVEL INTER CONNECTION ...より－ により埋め込み特性が向上すること、Ti/TiNバリア層.と問題を引き起こすことがないこと、さらに高温形成.したAlのダマシンプロセスへの応用が可能であるこ.とが示され、実際のプロセスへ応用する場合に問題.がないのか等の質問があった。Cuダマシンプロセス （続き）
  • 学生受賞歴/粟倉研究室より－ TiNバリア層上へのCuおよびPdの置換析出挙動とその熱力学的考察.八木俊介、邑瀬邦明、平藤哲司、粟倉泰弘.平成１５年度第２回材料科学研究会、第３回鉄鋼プロセス研究会(平成１５年１２月１０日、関西大学)粟倉研究室ホームページにもどる （続き）
  • 銅スピンコート液による半導体配線形成に関する研究より－ この成膜条件で成膜したシリコンウエーハ上のＴｉＮバリア材で被覆されたトレンチの埋め込みを示す断面ＳＥＭ像を写真２に示す。０.５μｍ幅トレンチには十分に埋め込まれている。また、０.１５μｍ幅トレンチについても完全な埋め込みの可能性を示唆している。a)b) （続き）
  • 半導体材料より－ 通常は、AlとTiNバリアメタルとの積層配線構造となっている。さらに微細なコンタクト部にはW材料の接続孔への埋め込み(Wプラグ)を用いる。第二は、エレクトロマイグレーションとストレスマイグレーションとよばれる現象による配線断線の問題である。 （続き）
  • １０.配線 １０.配線 １０.配線 １０.配線より－ CVDによるTiやTiNバリアおよびニュークリエイション・レイヤは、ウェッティング・レイヤとしてのCVD.Alとともに、これらの高度なAl組込プロセスを可能とする要素となる。これらの技術が潜在的に持つ （続き）
  • Profileより－ １５年度第２回材料科学研究会、第３回鉄鋼プロセス研究会(平成１５年１２月１０日、関西大学)TiNバリア層上へのCuおよびPdの置換析出挙動とその熱力学的考察.八木俊介、邑瀬邦明、平藤哲司、粟倉泰弘.TOP （続き）
  • bunrui11より－ サブ-1nmTiNバリアpolyーSiゲートhigh-kMOSFET.半導体先端テクノロジーズ金雨植,川原孝昭,伊藤浩之,堀内淳,武藤彰良,三橋理一郎,庄司秀行,鳥居和功,北島洋.休憩10:15~10:30.6 （続き）
  • Industry Watch 9月号より－ (注:15Ti/10TiN+Wは15nmTi/10nmTiNバリア膜、Wフィルありを表す。rsp=再スパッタリング時間)この研究はコンタクトレベルでCuを使用することに関する初めての報告書の1つであった。まず、 （続き）
  • Semiconductor International Japan ...より－ 現在、半導体メーカーは一般的にWコア生成層に続き、スパッタによるTiNバリアとWフィル(CVD膜)のコンタクトにTiを使用し接点性能を向上している。コンタクトはRCと電力消費の両方に影響を及ぼす。Wコンタクトが直径70nm （続き）
  • 研究会報告より－ 発表No.1「TiNバリア層上へのCuおよびPdの置換析出挙動とその熱力学的考察」京都大学大学院工学研究科八木俊介、邑瀬邦明、平藤哲司、粟倉泰弘.発表No.2「マイクロリアクターを用いたCdSeナノ結晶の合成」 （続き）
  • 121yasudaより－ 3.Cu,Al,W,TiN(バリア層)などの気相成長膜.今後,超LSIから超々LSIへの微細化の進展とともに,2.に述べた深いコンタクトホールを埋めるための選択気相成長,起伏の激しい表面上へ一様な膜を形成するための気相成長が魅力あるものとなろう。 （続き）
  • 13研究活動より－ ４)「CVD-Cuシード/CVD-TiNバリアによる配線形成」関口敦(アネルバ株式会社)５)「カーボンナノチューブの現状と課題」湯田坂雅子(科学技術振興事業団)第３５回.２００２年.１月３１日(木)１３:００~１７:３０.大阪 （続き）
  • 実用金属材料分野ナノメタル技術開発 成果報告 書より－ 板を用いて実験を行い、TiNバリア膜上に置換めっき法によりCuを形成させることが可能.であることを示した。また、Cuの析出挙動を制御するための因子として溶液のpHや総フッ.化物イオン濃度が重要であることが明らかとなった。C. （続き）
  • J-STORE(明細:半導体センシング用電界効果型トラン...)より－ (図１４(Ｂ))、次いで、コンタクトホール１１５内面にＴｉ/ＴｉＮバリアメタル層を形成した後、コンタクトホール１１５内部をメタルＣＶＤによりＷで充填し、基板上の全面にＷ膜１１６を形成する(図１４(Ｃ))。そして、ＣＭＰにより （続き）

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