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2008年09月06日 06:34現在
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◆tin結晶について
  • PVDコーティングしたTiN膜のX線残留応力測定とその機械的特性より- Vから30Vに増加するにしたがいTiN結晶粒の微細化が.進み、TiN結晶粒が微細化し、その結果、硬さが増大す.るものと考えられるが、本研究では逆にNaCl型のTiN結晶に相当する回折線が得られ.ていることがわかる。 (続き
  • 戦略的創造研究推進事業 ERATOより- 1)製法;CVD法原料ガスBCl3-NH3-H2-TiCl4.基板温度1200~1400DEGC.2)性状;板状ナノコンポジット,3~5nmのTiN結晶がBN中に分散。断熱性大。2.5wt%TiN含有で高密度(2.17g/cm3)のものが得られる。 (続き
  • 研究発表より- TiN結晶格子.面間隔.4+広.意味.ZrN層.積層界面近傍.格子縞.間隔.測定*4,/0.nm.結果.X線回折.TiN+++低角度側.ZrN+++高角度側.一致.観察結果.積層周期l.nm (続き
  • 180号 半導体特集OKIテクニカルレビューOKIより- 断面TEM観察からは、<111>配向を有するCuとTiN結晶の連続的な成長を確認した。そのような結晶のつながりはCuとTiN界面におけるCuの移動を抑制する効果がある。本手法を適用して配線形成を行い、<111>に強く (続き
  • ナノメートルオーダーで制御されたマテリアルより- A::::TiN結晶相.結晶相.結晶相.結晶相.D::::Si-N非晶質相.非晶質相TiN.結晶相/非晶質相.結晶相/非晶質相.結晶相/非晶質相.結晶相/非晶質相.ナノ複合被膜 (続き
  • 1999年 No.180 半導体特集|技術広報誌 OKIテクニカル ...より- 断面TEM観察からは、<111>配向を有するCuとTiN結晶の連続的な成長を確認した。そのような結晶のつながりはCuとTiN界面におけるCuの移動を抑制する効果がある。本手法を適用して配線形成を行い、<111>に強く (続き
  • 特許情報より- ボロンをドープし特定の結晶配向を有する、摺動性に優れたTiN結晶被膜.磁性粉末微粒子の製造方法.君嶋義英(横浜国立大学)、特願2005-347698(2005.12.1)ZnO等の酸化物にメカニカルミリングによりFeをドープした磁性ナノ微粒子 (続き
  • Si3N4-TiN 複合セラミックスより- (b)に入射.説明.TiN結晶に示した矢印は、長い軸が[001]、短い軸が[-110]軸.文献.進藤大輔,平賀賢二:材料評価のための高分解能電子顕微鏡法(1996),67[共立出版株式会社] (続き
  • 塩素イオン注入した窒化チタン被覆工具のステンレス鋼切削における性能より- 10mol%以下と予測されるため,TiN結晶中へ固溶し.ているものと考えられる。ただし,X線入射角度を1°にした場合の侵入深さはおよそ.1µmと計算されるため,イオン注入層のみならずイオンが到達していない.TiN膜 (続き
  • 研究報告 第3号(2000):窒化チタン膜の摩擦挙動に及ぼすハロゲン ...より- 10mol%以下と予測されるため,TiN結晶中へ固溶してい.るものと考えられる。ただし,X線入射角度を1°にした.場合の侵入深さはおよそ1.µmと計算されるため,イオン.注入層のみならずイオンが到達していない.TiN膜も同時 (続き
  • 〔 材料工学科 材料工学科 材料工学科 材料工学科 〕 〕 〕 〕より- TiN結晶の配向性を決める主要因は界面層にあり,TiN皮膜形成時.の投入電力が低く,界面から皮膜側に一定量以上の酸化物層が存在する場合にTiN結晶は一方,ガラス基板上に形成されたTiN結晶はドロップレットなどの影響を強 (続き